RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2384
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link