RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2384
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link