RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
60
Около -186% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3332
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link