Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Средняя оценка

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Сообщить об ошибке

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 38

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.1 7.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 3.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 35
Скорость чтения, Гб/сек

7.2 18.1
Скорость записи, Гб/сек

3.0 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

915 3215

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

модули RAM