RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
40
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
3000
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link