RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
3215
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link