RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
53
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3343
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link