RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3379
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link