RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3379
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link