RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3912
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link