RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3531
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link