RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
51
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3596
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link