RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3209
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link