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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
66
Por volta de -120% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
30
Velocidade de leitura, GB/s
7.3
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1760
1832
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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