RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.3
11.7
Скорость записи, Гб/сек
6.6
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1760
1832
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link