RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
51
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
21
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
20.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
4170
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link