RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
51
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4170
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link