RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
79
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.9
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
79
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
7.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link