RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
79
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.9
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
79
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
7.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link