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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
79
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.4
7.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
4.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
79
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
7.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
4.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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