RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de -104% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2765
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link