RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2806
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link