RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
51
Por volta de -38% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
37
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2512
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link