RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2512
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link