RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
99
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
99
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1358
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link