RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
73
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
8.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1810
1712
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link