RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link