RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link