RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
56
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
56
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2294
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link