RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
56
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
56
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2294
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link