RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
56
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
56
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2294
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link