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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
62
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
62
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1808
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
takeMS International AG TMS2GB364E081139EM 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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