RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
51
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3147
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link