RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
51
Por volta de -31% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2419
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link