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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
15.6
13.3
写入速度,GB/s
11.8
9.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2419
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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