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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
18.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
4207
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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