RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
4207
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link