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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Razões a considerar
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
2761
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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