RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
45
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.7
6.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
45
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
6.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
1499
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Relatar um erro
×
Bug description
Source link