RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
1499
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link