RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link