RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3110
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link