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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Comparar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
70
Por volta de 41% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
70
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
2519
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
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