RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Comparar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
2892
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link