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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
55
Por volta de 55% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
55
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2583
2701
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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