RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
55
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2583
2701
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link