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Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Mushkin 991586 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
9.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2713
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F24EB8GS 8GB
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