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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
63
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
33
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
2876
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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