Comparação RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Pontuação geral

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 33

Por volta de 18% menor latência

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.7 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.9 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 10600

Por volta de 2.42 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2274 2876

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns