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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
63
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
43
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
2128
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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