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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1982
3857
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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