RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Pontuação geral
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
41
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1982
2337
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 5641160 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link