RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Comparar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1952
2399
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link